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TRUSHIN, O.; MARAS, E.; STUKOWSKI, A.; GRANATO, E.; YING, S. C.; JÓNSSON, H.; ALA-NISSILLA, T. Minimum energy path for the nucleation of misfit dislocations in Ge/Si(001) heteroepitaxy. Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering, v. 24, n. 3, p. 035007, Mar. 2016. DOI: <10.1088/0965-0393/24/3/035007>. Disponível em: <http://doi.org/10.1088/0965-0393/24/3/035007>.
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... como proposto por Trushin et al. (2016).
... pode ser encontrada na literatura (TRUSHIN et al., 2016).